歡迎來到「華道顧問」,專業為您提供:ISO系列標準認證、特種設備生產資質、涉水產品衛生許可、服務認證等咨詢輔導服務。
全國免費咨詢電話:
4006-010-725
搜索:
北京電話:136 8120 0268
青島電話:137 0542 9315
上海電話:152 2175 9315

青島華道智業企業管理咨詢有限公司
全國免費咨詢電話:4006-010-725

地址:山東省青島市市南區中山路10號
電話|微信:137-9194-1216
辦公電話:0532-89775129
QQ:1263118282
網址:龙珠激斗2.3无敌版
郵箱:hdzygw#126.com(#[email protected])
您現在的位置:網站首頁 >特種設備資質 >軍工保密資格認證軍工保密資格認證

關于組織申報中央軍委裝備發展部信息系統局2019年電子元器件科研項目的通知

文章來源:科學技術研究院 編輯:華道顧問

各相關學院:

      軍委裝備發展部信息系統局已于2019年5月22日通過全軍武器裝備采購信息網發布了290項電子元器件科研項目研制需求,其中公開211項(參見附件一),涉密79項(涉密指南請于5月24日早8點后到科研院205查詢),現擬對上述項目進行公開評審,特邀請國內有能力從事此項目的企事業單位參加,有關事項公告如下:

      一、企業資格要求
      1.在中華人民共和國境內注冊且法定代表人具有中華人民共和國國籍;
      2.非外資控股企業;
      3.不得為從事代理、銷售等非科研生產性質的單位;
      4.取得國家標準的質量管理體系認證證書;
      5.涉密項目申報單位需具備三級(含)以上保密資格,以及相應專業的裝備承制單位資格;
      6.所有項目均不接受聯合體申請。
      二、需求對接時間、地點、內容、方式
      初審(盲審)及會議評審的具體時間、地點和要求,請相關人員關注科研院的進一步通知。
      三、評審與結果反饋
      1.項目評審分為初審(采取盲審形式)和會議評審。
      2.超過5個申報單位的項目需進行初審(盲審),不超過5個(含)的直接采用會議評審方式。
      3.初審(盲審)為專家書面評審,申報單位不到現場答辯。對通過初審(盲審)的單位將另行通知后續會議評審的時間安排及要求。
      4.會議評審采取現場答辯方式,申報單位須到現場答辯,采取專家打分形式擇優推薦擬立項單位(電子元器件科研項目評審工作規范參見附件二)。
      5.會議評審后,入圍候選單位信息將在全軍武器裝備采購信息網公示,時間為5天。
      四、申報確認
      請有申請意向單位填寫《項目申報意向登記表》(見附件二),并于2019年5月26日18:00時前將《項目申報意向登記表》Word電子版,以及加蓋公章后的紙質版,通過掃描圖像文件(Jpeg格式)交到科研院205。

      聯系人:趙小龍 蔣凱偉
      聯系電話:3922080

                                                                                                                                             科學技術研究院
                      
                                                                                                                                             2019年5月22日

       
      附件一:

序號 標題 專業領域 主要內容 功能用途
1 2019XP1119-110-170GHz低噪放 電子元器件 頻率:110-170GHz;噪聲系數:≤3.5dB;增益平坦度:±2dB。
2 2019XP1120-
75-170GHz零偏檢波芯片
電子元器件 1、頻率:75-110GHz;  電壓靈敏度:≥1200V/W;  最小檢測功率:-40dBm 。2、頻率:110-170GHz;  電壓靈敏度:≥1000V/W;  最小檢測功率:-40dBm。
3 2019XP1121-
80-183GHz功率芯片
電子元器件 1、頻率:80-130GHz;  增益:≥15dB;  P1dB:≥20dBm;  功率平坦度:≤±1.6dB。2、頻率:108-183GHz;  增益:≥15dB;  P1dB:≥18dBm;  功率平坦度:≤±1.5dB3、頻率:180-280GHz;  增益:≥12dB;  P1dB:≥13dBm;  功率平坦度:≤±1.5dB。
4 2019XP1122-
12GHz-27GHz功率放大芯片
電子元器件 1、頻率范圍:12GHz-19GHz   增益:≥30dB;   增益平坦度:≤±1.5dB   輸出功率:≥+31dBm;   輸入回波損耗:≤-15dB;   輸出回波損耗:≤-6dB。2、頻率范圍:18GHz-27GHz   增益:≥15dB;   增益平坦度:≤±1.0dB   輸出功率:≥+31dBm;   輸入回波損耗:≤-15dB;   輸出回波損耗:≤-12dB。
5 2019XP1123-
PIN二極管(10MHz-70GHz)
電子元器件 Rs:≤1 歐姆(IF=10mA f=100MHz)Cj:≤0.03pF(VR=10V)τ:500ns-1500ns(IF=10mA IR=6mA 50%  Recovery)VBR:≥250V(IR=10μA)。
6 2019XP1124-
7GHz寬帶增益可控放大器
電子元器件 輸入端口數量: 1路單端;模擬帶寬:   DC~7GHz(-3dB),   DC~4GHz(-1dB);增益范圍:   -31.75dB~+40dB,   0.25dB步進信號輸出端口數量: 4路差分;噪聲系數:≤8dB(4GHz)。
7 2019XP1126-
電容系列
電子元器件 頻率:16kHz(-3dB)-40GHz/160kHz(-3dB)-67GHz;尺寸:0402/0201容值:100nF/10nF插入損耗:≤0.5dB/≤0.5dB額定電壓:16WDC/10WDC回波損耗:≤-10dB。
8 2019XP1127-
InP 寬帶梳譜發生器芯片
電子元器件 1、S波段低相噪梳譜發生器芯片:輸入信號:120MHz;輸入信號功率:1~4dBm;輸出幅度平坦度:≤1dB;輸出諧波功率:≥-35dBm;輸出諧波相位噪聲:≤-120dBc/[email protected] offset,2.64GHz輸出;功耗:≤1W。2、26.5GHz寬帶梳譜發生器芯片:輸入頻率范圍:10MHz~6GHz;輸入信號幅度:500mvpp~800mvpp脈[email protected]輸入;輸入輸出幅度平坦度:≤[email protected]輸入;功耗:≤1W。
9 2019XP1128-
InP高頻超寬帶分頻器
電子元器件 1、頻率范圍:4GHz~50GHz;分頻比:2;輸入功率范圍:-10dBm~+5dBm;SSB相位噪聲:≤-130dBc/[email protected](30GHz輸入);直流功耗:≤500mW。2、頻率范圍:26GHz~67GHz;分頻比:2;輸入功率范圍:-5dBm~+5dBm;輸出功率范圍:≥-10dBm;SSB相位噪聲:≤-130dBc/[email protected](30GHz輸入);直流功耗:≤900mW。
10 2019XP1129-
寬頻段放大芯片
電子元器件 頻率范圍:DC-20GHz;增益:15dB;增益平坦度:±0.25dB;工作電壓:+8V。
11 2019XP1130-
功率放大芯片
電子元器件 頻率范圍:100MHz-20GHz;增益:11dB;增益平坦度:±0.5dB 1dB壓縮點。
12 2019XP1131-
電光調制器
電子元器件 模擬調制:67GHz;工作波長:1550nm;消光比:≥ 20dB。
13 2019XP1132-
光電探測器
電子元器件 3dB截止頻率:70GHz;暗電流:典型值2nA;響應度:0.6V/W。
14 2019XP1133-
光擾偏器
電子元器件 中心波長:1550nm;工作波長范圍:≥100nm;擾偏后偏振度:≤5%;偏振模式色散:≤0.05ps。
15 2019XP1134-波導衰減器系列 電子元器件 頻率范圍:50GH~75GHz/60GHz~90GHz/75GHz~110GHz ;       電壓駐波比:≤1.2 ;插入損耗:≤1dB 。
16 2019XP1135-1.35mm-1.0mm同軸轉接器系列 電子元器件 工作頻率:DC~90GHz;回波損耗:≥[email protected]~20GHz,≥[email protected]~50GHz,≥[email protected]~70GHz,≥[email protected]~90GHz。
17 2019XP1136-微波大功率密封法蘭轉接器 電子元器件 通道數量:24個;單通道指標如下:接口形式:TNC-K;特性阻抗:50歐姆;工作頻率:0.05~11GHz;電壓駐波比:≤1.2;插入損耗:≤0.8dB。
18 2019XP1137-微波大功率密封法蘭轉接器 電子元器件 通道數量:10個;單通道指標如下:接口形式:SC-K;特性阻抗:50歐姆;工作頻率:0.05~9GHz;電壓駐波比:≤1.2;插入損耗:≤0.8dB。
19 2019XP1140-8GHz~40GHz數字延時器 電子元器件 工作頻率:8-40GHz;控制位數:≤9;插入損耗:≤12dB;時延量及控制特性:最大位時延量0.31ns;最小位延時量0.00121ns。
20 2019XP1141-電子校準件 電子元器件 工作頻率:DC-18GHz;直通插損:≤8dB;駐波:≤5dB(短路、開路);≥10dB(負載)輸入0.02dB壓縮點。
21 2019XP1142-雙通道寬帶射頻信號接受處理芯片 電子元器件 通道數:2;集成信號群延遲調整精度:1/50 Tclk;集成變頻通道數:4;變頻抽取倍數:2-8倍;信號接收最高采樣率:1GSPS。
22 2019XP1143-四通道寬帶射頻信號發射處理芯片 電子元器件 通道數:4;集成信號處理I/Q正交通道數:4;集成信號群延遲調整精度:1/50 Tclk;集成變頻通道數:8;變頻抽取倍數:2-16倍;通道隔離度:50dB;信號接收串行接口速率:12.5Gbps。
23 2019XP1148-音頻解碼器 電子元器件 支持立體聲音頻;分辨率:24bit;信噪比ADC/DAC :94、96;2個DAC通道;支持16/20/24-bit PCM編碼。
24 2019XP1150-消回音電路 電子元器件 1、3路模數轉換器;2、2路數模轉換器;3、30mW低功耗;4、側音消除25~35db;5、回聲長度范圍:64~100ms6、麥克輸入和線性輸入(可編程增益放大)范圍-2dB~ +26dB;7、線性輸出和揚聲器輸出(可編程增益放大)范圍-29dB~+2dB;8、兩種類型時鐘輸入:4.096MHz或13MHz;9、70ms初始化時間。
25 2019XP1154-SATA接口存儲芯片 電子元器件 電源電壓:3.3V,12V;電源電流:60mA(工作模式),500μA(睡眠模式);最大允許功耗:450mW(工作模式),70mW(睡眠模式),210mW(標準模式)。支持SATA 1.5G/s和3.0Gb/s模式,最大讀性能70MB/s。
26 2019XP1155-3.2Gbps單通道緩沖多路復用器/解復用開關 電子元器件 電源電壓3.0~3.6V;功耗200mW;支持數據速率0~3.2Gbps;時延640ps;切換時間5ns;輸出上升/下降時間85ps。
27 2019XP1156-高性能SRAM 電子元器件 電源電壓3.3±5%;功耗1.6W;支持最大時鐘頻率200MHz;72Mb容量;支持“NO WAIT”訪問模式。
28 2019XP1158-4通道差分開關 電子元器件 電源電壓:3.3V;工作帶寬:8GHz;最大傳輸速率:12Gbps;最大允許功耗:21.6mW 。
29 2019XP1160-單端轉LVPECL差分時鐘扇出Buffer 電子元器件 電源電壓:3.3V;1-to-4扇出Buffer,支持LVCMOS/LVTTL或晶體時鐘輸入;4路LVPECL輸出;最大輸出頻率266MHz。
30 2019XP1161-PCIe時鐘扇出Buffer 電子元器件 電源電壓:3.3V;專用于PCIe Gen1和Gen2的差分時鐘Buffer;6路差分時鐘輸出;輸出間偏移小于50ps。
31 2019XP1162-4端口SHDSL接口芯片 電子元器件 電源電壓3.0~3.6V/1.35~1.65V;功耗小于600mW;支持數據速率最大20800MHz。
32 2019XP1163-CVSD編解碼芯片 電子元器件 電源電壓3.0~3.6V;功耗10mW;支持16K/32K速率的CVSD編解碼功能。
33 2019XP1164-多路音頻接口芯片 電子元器件 電源電壓3.0~3.6V;功耗50mW;支持8~48K采樣,DAC信噪比不低于93dB,提供標準的I2S或PCM數字接口,提供2路麥克風和揚聲器接口。
34 2019XP1165-四路ADPCM編解碼芯片 電子元器件 電源電壓3.0~3.6V;功耗10mW;支持4通道的32k、24k、16k的ADPCM編解碼,主時鐘4.096Mhz。
35 2019XP1166-單端口SHDSL接口芯片 電子元器件 單口SHDSL接口芯片;支持MII, RMII, SMII, SS-SMII等接口電源;電壓:5V,3.3V;最大功耗:600mW。
36 2019XP1167-回聲消除器 電子元器件 工作溫度范圍:-40~85℃;電源電壓:5V;電源電流:70mA;最大允許功耗:500mW;輸出高電平電壓≥0.9V;輸出低電平電壓≤0.1V;工作頻率:19.2MHz。
37 2019XP1170-差分時鐘轉換芯片 電子元器件 電源電壓:2.5V,3.3V;支持晶體、單端和差分輸入;支持LVPECL輸出;輸入頻率范圍:15.625MHz-32MHz;輸出頻率范圍:83.33MHz-213.33MHz;周期抖動最大45ps。
38 2019XP1171-E1接口芯片 電子元器件 電源電壓3.3V±5%;最大功耗不大于0.8W;提供四路E1接口。
39 2019XP1172-以太網映射器 電子元器件 電源電壓3.3V±5%,1.8V±5%;最大功耗不大于0.8W;四路以太網到HDLC/X.86轉換。
40 2019XP1173-45MHz小體積窄帶高矩形度晶體濾波器 電子元器件 標稱頻率:45MHz;-3dB帶寬:≥±13kHz;-60dB帶寬:≤±24kHz;插入損耗:≤3dB;帶內波動:≤0.8dB;矩形系數:-80dB帶寬/-3dB帶寬≤2.0;阻帶抑制:≥90dB(f0-10MHz~f0-700kHz,f0+700kHz~f0+10MHz)。
41 2019XP1174-低輻射誤差深空探測光纖溫度傳感器 電子元器件  ±0.5℃傳感器分辨率:0.1℃;反射率≥90%。
42 2019XP1175-ISDN DNIC控制器 電子元器件 控制器接口側:輸出低電平時,輸出電壓最大0.4V,輸出電流典型7.5mA;輸出高電平時,輸出電壓最小2.4V,輸出電流最小10uA;輸入高電平時電壓:最小2.4V,輸入低電平電壓:最大0.4V,輸入漏電流最大10uA;3)線路接口側:輸入電壓Vpp最大5V,輸入阻抗最小20kΩ,輸出電容8pF,負載電容最大20pF;4)參考時鐘10.24MHz。
43 2019XP1176-新研-SATA接口的集成式固態存儲芯片 電子元器件 讀取速率不小于300MB/s,寫入速率不小于200MB/s;容量8GB SLC。
44 2019XP1177-硅基單片6GHz集成VCO鎖相環 電子元器件 輸出功率最大值:≥[email protected],≥[email protected];噪聲優值:≤-223dBc/Hz;最大鑒頻鑒相頻率:125MHz(整數)、80MHz(小數);跳頻時間:≤50us(全頻段任意跳)。
45 2019XP1180-寬輸入電壓范圍4A同步降壓型DC/DC電源芯片 電子元器件 1.輸入電壓范圍:3.4V ~42V;2.輸出電流:4A;3.輸出紋波電壓:< 10mVp-p4.輸出電壓:可調低至0.970V;5.效率: 96% at 1MHz,94%y at 2MHz。
46 2019XP1185-摻稀土的氟化鋇快響應閃爍晶體研制 電子元器件 光輸出≥2000 photons/MeV;衰減時間≤2 ns(快),衰減時間≤620 ns(慢);快/慢分量比≥1.2;透光率:≥80%(@220 nm);均勻性≥95%。
47 2019XP1186-長波長快衰減塑料閃爍體 電子元器件 發光峰值波長≥ 480 nm;衰減時間≤ 3 ns;能量轉換效率> 5000 photons/MeV;單片閃爍體不均勻度:< 3%。
48 2019XP1187-50ns時間分辨高幀頻CMOS圖像傳感器 電子元器件 分辨率:≥256×256像素;最小快門速度(時間分辨):50ns;片上存儲畫幅數:≥4幅;線性動態范圍:≥60dB;數字化精度:12bit。
49 2019XP1188-小型化低抖動偽火花開關 電子元器件 陽極最高耐壓:40kV;陽極工作電壓:25kV~30kV;陽極脈沖電流(最大值):≥10kA;陽極脈沖電流寬度:≥500ns;陽極著火延遲時間:≤200ns;陽極著火延遲漂移時間:≤±5ns;電壓上升速率: 800 V/ns。
50 2019XP1189-四極電子管 電子元器件 工作方式:脈沖調制正弦波;輸出功率: ≥500 kW(Pulse);工作頻率:325 MHz ±1 MHz;頻率范圍:195~600MHz;脈沖調制重復頻率:1 Hz;脈沖寬度:20 μs ~150 μs;高頻激勵輸入功率:≤ 7 kW(Pulse);負載特性:VSWR ≤ 2。
51 2019XP1190-高壓大電流高重頻偽火花開關 電子元器件 正向陽極峰值電壓 :45kV;正向陽極直流電壓:40kV;陽極峰值電流:50kA;電流反峰比:≥70%;延遲導通時間: ≤200ns;平均陽極電流:2A;最大脈沖重復頻率:400pps。
52 2019XP1191-室溫中紅外HgCdTe面陣探測器 電子元器件 像元數:1024(32×32);像元間距:6mm;像元面積(光敏面面積):約0.25mm2;可測量光譜范圍:3.0μm~4.3μm;響應率:0.5A/W。
53 2019XP1192-通用寬帶大動態收發處理芯片 電子元器件 片內集成可變增益(60dB)放大器(VGA)、鎖相環(PLL);高性能ADC(14bit位寬320MSPS);DAC(14bit位寬2GSPS);混頻器、濾波器、數字接口(符合JESD204B標準6.4Gbps的SERDES總線)等???。
54 2019XP1197-光學幅相調節器 電子元器件 工作波長:1530-1560nm;延時步進:≤0.5ps;調節步進:0.2 dB;光學插入損耗:≤3dB;插損變化量<0.5dB;回波損耗:>55dB;通道數:8
55 2019XP1199-Si基集成光采樣單元 電子元器件 在全光域實現對射頻信號的寬帶光A/D轉換;射頻信號輸入帶寬>20GHz;光采樣率>40GSPS;A/D轉換分辨率>8位;信噪比>30dB。
56 2019XP1201-零中頻正交解調器 電子元器件 輸入射頻及本振頻率:400MHz~6GHz;輸入IP3:[email protected],[email protected];正交解調準確度@900MHz;相位準確度不高于0.2°;幅度平衡度不高于0.07dB。
57 2019XP1202-寬帶高速捷變本振源芯片/???/td> 電子元器件 相位噪聲:≤-70dBc/[email protected];≤-80dBc/[email protected];≤-90dBc/[email protected];≤-100dBc/[email protected];諧波抑制:≤-30dBc;切換時間:≤50ns;控制接口:可設置頻點和跳速。
58 2019XP1204-SP3508EF-L 電子元器件 支持20Mbps的數據傳輸速率;支持RS-232(V.28);支持EIA-530(V.10&V.11);支持X.21(V.11);支持EIA-530A(V.10&V.11);支持RS-449/V.36(V.10&V.11);支持V.35(V.35&V.28)。
59 2019XP1206-正交解調器 電子元器件 輸入帶寬超過1000MHz,中心頻率達到4GHz,無雜散動態范圍達到40dB。
60 2019XP1207-正交調制器 電子元器件 輸入帶寬超過800MHz,中心頻率超過4.5GHz,載波抑制度超過45dBc。
61 2019XP1208-頻綜芯片 電子元器件 輸出時鐘頻率范圍100MHz~2700MHz,支持小數分頻,高線性度混頻。
62 2019XP1210-寬帶衛通SOC基帶芯片 電子元器件 a)支持寬帶高速調制解調:1路500MBaud的解調器,2路100MBaud的解調器,1路150Mband的調制器;b)多核ARM架構CPU,主頻1.2G3)集成I2C,SPI,DDR3接口。
63 2019XP1211-UHF雙模手持機射頻收發芯片 電子元器件 支持FDD和TDD衛星信號收發模式;支持至少兩收兩發四通道;工作頻段覆蓋300MHz~3000MHz;接收機架構支持低中頻和直接變頻可配置;信道帶寬324KHz~5MHz可配置;接收通道噪聲系數≤5dB;
64 2019XP1212-陣列信號處理芯片 電子元器件 波束水平范圍 0°~360°;波束垂直范圍 不低于15°~90°;最大波束合成天線陣元個數 8個;8天線陣波束合成增益 ≥ 8.5dB;每個輸入通道位數 16-bit
65 2019XP1218-AD轉換器 電子元器件 LVDS信號輸入,16bit分辨率;最高采樣速率達到1230MSPS;可調模擬輸出電壓8.7mA~31.7mA;[email protected]。
66 2019XP1220-AD轉換器 電子元器件 單通道12位數模轉換;3V/5V電源輸入,輸出0~Vdd;工作溫度范圍:-40~85;貯存溫度范圍:-65~150;外形尺寸≤3.2mm*5mm
67 2019XP1221-固態功率放大器 電子元器件 150W功率放大器???;工作模式:連續波;輸出額定功率P-1dB:≥150W;增益:G≥70dB;增益平坦度:≤±0.6dB(40MHz內);≤±1.3dB(750MHz內P-1dB回退10dB)。
68 2019XP1222-通信基帶處理芯片 電子元器件 支持技術體制:FDMA/TDMA/CDMA/OFDMA;信息速率:50bps-10Mbps;編譯碼:Turbo、LDPC、Polar。
69 2019XP1223-移動通信系統射頻芯片 電子元器件 1、發射通道:發射功率≥3dBm;EVM≤5%;ACPR≤[email protected]第一鄰道、≤[email protected]第二鄰道、≤[email protected]第三鄰道、≤[email protected]第四鄰道及以上;工作頻段覆蓋1980-2010MHz;2、接收通道:噪聲系數≤5dB;EVM≤5%;抗阻塞滿足≥-40dBm;工作頻段覆蓋2170-2200MHz。
70 2019XP1231-電源芯片 電子元器件 可以提供0.6V至1.5V范圍電壓;支持不小于7相供電,單相供電流能力不小于40A;支持SMBus接口;支持動態調壓功能;功耗小于200mW。
71 2019XP9002-以太網多路PHY芯片 電子元器件 SGMII接口,支持符合IEEE 802.3標準的銅線接口:1000BASE-T、100BASE-TX、10BASE-T;支持光纖接口:1000BASE-X、100BASE-FX、SGMII-Slave口;集成雙絞線終端電阻;兼容IEEE 802.3az。
72 2019XP9003-PCI-E零延遲差分時鐘驅動 電子元器件 Cycle-to-cycle 間抖動小于40ps;output-to-output偏斜小于30ps。 
73 2019XP9004-大電流DC/DC芯片 電子元器件 Accuracy Over Temperature ±0.5%;PWM輸出電壓(LOW threshold)小于0.5V,(HIGH threshold)大于4.5V。
74 2019XP9005-PCI-E網絡控制器 電子元器件 封裝尺寸 9X9 mm; PCIe v2.1(2.5GT/s);支持SerDes、Copper、Copper IT。
75 1905WJ0001-面向桌面計算機的高性能多核64位處理器 電子元器件 共1個品種,產品指標:
自主64位指令系統;主頻不低于2.0GHz;不低于四核;不多于八核;功耗不超過60W。
76 1905WJ0002-高可靠發動機控制32位微處理器 電子元器件 共1個品種,產品指標:
指令集兼容32位地址空間;內核工作頻率:150MHz;片上FLASH:4MB;片上SRAM:192KB。
77 1905WJ0003-低功耗通用32位微處理器 電子元器件 共3個品種,產品指標:
品種1:內核頻率:120MHZ; Flash Memory:512KB;
品種2:48k程序存儲器,10k數據存儲器; 內核頻率:20MHz;
品種3:與ARM指令集兼容;片上3MB帶ECC程序Flash;內核工作頻率:220MHz。
78 1905WJ0004-高性能大容量網絡搜索芯片 電子元器件 共1個品種,產品指標:
芯片容量:80Mb;搜索鍵值長度:支持48b、80b、160b、240b、320b、480b、640b。
79 1905WJ0005-嵌入式圖形終端SoC 電子元器件 共1個品種,產品指標:
集成4個CortexA9核心處理器和2D GPU核的控制器;CPU內核工作頻率:不低于1GHz;Cache:32kB I/D。
80 1905WJ0006-大容量NOR型FLASH存儲器 電子元器件 共3個品種,產品指標:
品種1:容量1Gbits;可對任意扇區進行100,000次擦除操作。
品種2:容量2Gbits;最大讀取時間:110ns。
品種3:容量1Gbit;最高時鐘速率不低于108MHz。
81 1905WJ0007-大容量NAND型FLASH存儲器 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1、品種2:容量:8/16Gbit;讀寫周期時間:≥25ns(持續),≤30μs(隨機);耐擦寫:100000次。
82 1905WJ0008-大容量DDR4動態存儲器 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:容量4Gbit;最高頻率2.4Gbps;
品種2:8Gb容量;512M×16 DDR4 SDRAM。
83 1905WJ0009-高性能SRAM存儲器 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:功能:同步 NBT SRAM;容量:36Mb;位寬:36位;速度:333MHz。
品種2:容量:128Kbit*8,高速存取時間:10ns。
84 1905WJ0010-高性能視頻壓縮電路系列 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:壓縮算法支持H.265;壓縮能力支持不小于1920×[email protected];
品種2:支持H.265硬核視頻編碼;編碼等級支持MAIN、MAIN 10、MAIN STILL PICTURE、MAIN 422;視頻編碼幀性能不低于[email protected]。
85 1905WJ0011-2T高性能網絡交換芯片 電子元器件 共1個品種,產品指標:
交換容量:2.0Tbps;端口:至少具備20個100Gbps端口,至少具備4個200Gbps端口和2個400G端口。
86 1905WJ0012-雙路萬兆網絡PHY芯片 電子元器件 共1個品種,產品指標:
可用于2路XAUI轉SPI,實現10-Gbps以太網傳輸;通道數量、種類及速率:提供2個XAUI轉SPI通道,每個通道都可實現10.3125Gbps 速度的數據傳輸;基準時鐘輸入:156.25MHz。
87 1905WJ0013-磁耦合高速數字隔離器 電子元器件 共5個品種,產品指標:
品種1:四通道,隔離電壓≥1500V;
品種2:四通道,隔離電壓2500Vrms;
品種3:雙通道,I2C 雙向通訊,隔離電壓[email protected];
品種4:雙通道,隔離電壓2500Vrms;
品種5:SPI接口,速度≥17MHz, 隔離電壓≥3750Vrms。
88 1905WJ0014-軍用寬帶頻率合成器系列 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:射頻輸入頻率范圍0.5~12GHz,小數分頻器位數不低于24bit;
品種2:射頻小數頻率合成器,頻率范圍0.0625~10GHz,小數分頻器位數不低于24bit。
89 1905WJ0015-雙環低抖動時鐘產生電路 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:提供 14 路獨立的低噪聲可配置分頻比輸出通路,最多可產生7對DCLK和SYSREF時鐘,輸入時鐘頻率范圍:500MHz~6GHz;集成鎖相環2中VCO頻率范圍:2.4GHz~3.2GHz;
品種2:雙PLL,最高輸出頻率:3.2GHz;支持107.52MHz和122.88MHz輸出。
90 1905WJ0016-高性能升壓型DC-DC電源轉換器 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:異步升壓型DC-DC電源轉換器,輸入電壓1.8V-6V,輸出最高電壓38V。
品種2:升壓型DC-DC電源轉換器,輸入電壓1.5~5V,輸出電壓5V,輸出電流600mA。
91 1905WJ0017-高性能低壓差穩壓電路 電子元器件 共7個品種,產品指標:
品種1:輸入范圍1.25V到16V;可以保證3A電流的輸出,可調節電壓可以低至0.8V;
品種2:輸入輸出可調,2.5V至5.5V輸入,800mV至5V/1A輸出;
品種3:2.5V至5.5V輸入,輸出電壓范圍0.75V--3.3V;
品種4:1路輸出,輸出電壓1.2V~5.5V;輸出電流1A,輸入電壓2.7V~5.5V;
品種5:輸出電壓可調、含使能功能,輸出電壓1.4V~-34V;最大輸入電壓36V;
品種6:輸入電壓范圍:4V-40V;低功耗:28uA在休眠模式,1uA在關斷模式,2.1MHzSWITCHING,600mA的輸出能力;
品種7:輸入電壓:5.6V-40V;輸出電壓典型值:5V,輸出電流150mA。
92 1905WJ0018-超高速時分多路交織A/D轉換器 電子元器件 共1個品種,產品指標:
用于超寬帶數字示波器的8位 32GSPS A/D轉換器,片內集成可配置的數字下變頻???,可設置多種抽取倍數以適應超寬帶數字示波器系統的需求。
93 1905WJ0019-軍用低延遲高速高性能數據轉換器系列 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:低延遲雙通道12位1.5GSPS A/D轉換器;通道數:2個;分辨率:12位;AD最高更新速率:1.5Gbps;
品種2:低延遲12位3GSPS D/A轉換器;產品性能指標:通道數:1個;分辨率:12位;DA最高更新速率:3GSPS。
94 1905WJ0020-寬帶高速高精度模數轉換器系列 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:寬帶12位4GSPS A/D轉換器;帶寬大于等于3GHz;分辨率:12bits;最高采樣率:4GSPS;
品種2:寬帶雙通道、12位3.2GSPS A/D轉換器;帶寬大于等于6GHz;分辨率:12bits;通道數:2個;單通道最高采樣率:3.2GSPS。
95 1905WJ0021-軍用高速高精度數據轉換器 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:分辨率:16位;采樣率:1GSPS;通道數:2;3.電源電壓:1.9/3.0(典型);
品種2:雙通道12GHz16位RFDAC/DDS;最高工作頻率:12GHz;集成通道數:2;DAC內核位寬:16;NCO頻率字位寬:48位;NCO相位字位寬:16位。
 
96 1905WQ0001-1200V碳化硅MOSFET功率???/td> 電子元器件 共1個品種,產品指標:
PD=1500W,ID=444A,VDSS≥1200V;RDS(on)≤4.3mΩ;半橋結構。
97 1905WQ0002-快恢復整流二極管 電子元器件 共6個品種,產品指標:
品種1:工作電壓VRWM:50V;
品種2:工作電壓VRWM:100V;
品種3:工作電壓VRWM:200V;
品種4:工作電壓VRWM:400V;
品種5:工作電壓VRWM:500V;
品種6:工作電壓VRWM:600V。
正向電流IFM:3A;浪涌電流 IFSM:30A;正向壓降VF≤1.3V;電容Ctot≤60pF;
靜電指標:4000V;封裝:金屬陶瓷表面貼裝
98 1905WQ0003-低損耗肖特基二極管 電子元器件 共1個品種,產品指標:
最大正向連續電流:20A;
峰值反向重復電壓:45V;
最大正向電壓降:0.58V;
正向電流5A時,正向電壓降0.3V(典型值)。
99 1905WQ0004-功率MOS 電子元器件 共4個品種,產品指標:
品種1:VDSS=60V;RDS(ON)max=11mΩ;Qg=14nC;ID=50A;
品種2:VDSS=60V;RDS(ON)max=17.8mΩ;Qg=24nC;ID=10A;
品種3:VDSS=30V;ID=30A;RDS(ON)max=8mΩ;Qg=24nC;
品種4:VDSS=30V;ID=80A;RDS(ON)max=4mΩ;Qg=38nC。
100 1905WQ0005-高壓功率MOS 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:VDSS=1000V;ID=36A;RDS(ON)max=0.24Ω;
品種2:VDSS=800V;ID=17A;RDS(ON)max=600mΩ。       
101 1905WQ0006-超結功率MOS 電子元器件 共1個品種,產品指標:
VDSS=600V;ID=94A;RDS(ON)max=0.035Ω;Qg=38nC
102 1905WQ0007-射頻場效應管 電子元器件 共1個品種,產品指標:
Pout=300W;Gain=14dB;VDSS=65V;ID=32A;TJ=200℃;
103 1905WQ0008-600V IGBT功率???/td> 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:集電極-發射極電壓:600V;連續漏極電流:151A;
品種2:集電極-發射極電壓:600V;連續漏極電流:600A;
104 1905WQ0009-600V IGBT智能功率??镮PM 電子元器件 共3個品種,產品指標:
品種1:集電極-發射極電壓:600V;連續漏極電流:75A;
品種2:集電極-發射極電壓:600V;連續漏極電流:50A;
品種3:集電極-發射極電壓:600V;連續漏極電流:30A;
105 1905WQ0010-1200V IGBT功率???/td> 電子元器件 共5個品種,產品指標:
品種1:集電極-發射極電壓:1200V;連續漏極電流:1200A;
品種2:集電極-發射極電壓:1200V;連續漏極電流:450A;
品種3:集電極-發射極電壓:1200V;連續漏極電流:400A;
品種4:集電極-發射極電壓:1200V;連續漏極電流:125A;
品種5:集電極-發射極電壓:1200V;連續漏極電流:50A。
106 1905WQ0011-1200V IGBT智能功率??镮PM 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:集電極-發射極電壓:1200V;連續漏極電流:150A;
品種2:集電極-發射極電壓:1200V;連續漏極電流:300A。
107 1905WQ0012-1700V IGBT功率???/td> 電子元器件 共3個品種,產品指標:
品種1:集電極-發射極電壓:1700V;連續漏極電流:3600A;
品種2:集電極-發射極電壓:1700V;連續漏極電流:650A;
品種3:集電極-發射極電壓:1700V;連續漏極電流:300A。
108 1905WG0001-銦鎵砷短波紅外探測器組件 電子元器件 共1個品種,產品指標:
規格:1280×1024;像元中心距:≤12um;工作波長:0.9μm~1.7μm;非均勻性:≤6%;峰值量子效率≥65%;數據位≥14bit;動態范圍≥80dB;幀頻≥50Hz。
109 1905WG0002-高隔離電壓低速光電耦合器 電子元器件 共4個品種,產品指標:
品種1:2500Vrms隔離電壓四通道表貼光電耦合器;正向電流:50mA;最大集電極發射極電壓80V;
品種2:2500Vrms隔離電壓單通道表貼光電耦合器;正向電流:50mA;最大集電極發射極電壓80V;
品種3:3750Vrms隔離電壓單通道表貼光電耦合器;電流輸出比最小值80%5mA;電流輸出比最大值600%5mA;
品種4:5300Vrms隔離電壓雙通道直插光電耦合器;電流輸出比最小值80%5mA;電流輸出比最大值600%5mA。
110 1905WG0003-低輸入電流光電隔離開關 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:100V 0.8A貼片式光電隔離開關;輸出耐壓:≥90V;導通電阻(A連接):≤1Ω;導通電阻(B連接):≤0.25Ω;輸入正向電壓:≤1.7V;抗總劑量≥50krad(Si);
品種2:50V 0.3A直插式光電隔離開關;隔離電壓AC 1500V;輸出耐壓40V;最大導電流1A;最大導通電阻0.2Ω;Ton/Toff<3ms。
111 1905WG0004-高速集成電路輸出型光電耦合器 電子元器件 共3個品種,產品指標:
品種1:1Mbit/s高速OC輸出光電耦合器;隔離電壓3750Vrms;CTR>25%;供電電壓15V;
品種2:10Mbit/s高速OC輸出光電耦合器;最小隔離電壓AC 5000V;共模瞬態抑制:10KV/us;電壓輸出范圍直流4.5V~7V;最大輸出電流50mA;
品種3:15Mbit/s 高速OC輸出光電耦合器;最小隔離電壓AC 3750V;共模瞬態抑制:15KV/us;電壓輸出范圍直流2.7V~3.6V;最大輸出電流25mA;
112 1905WG0005-高功率1064nm聲光調制器 電子元器件 共1個品種,產品指標:
工作波長:1.06±0.02μm;承受激光功率:50W;有效通光口徑:≥Φ3mm;衍射效率:≥90%;光脈沖上升時間:≤200ns;通斷消光比:≥500:1。
113 1905WG0006-低半波電壓1064nm鈮酸鋰相位調制器 電子元器件 共1個品種,產品指標:
工作波長:1064nm±20nm;最大輸入光功率:≥[email protected];插入損耗:≤3.0dB;尾纖偏振串音:≤20dB;半波電壓@50kHz:≤2.1V;帶寬:20GHz;RF連接器:SMA(female)。
114 1905WG0007-高峰值功率微型人眼安全激光模組 電子元器件 共1個品種,產品指標:
激光波長:1.5um;工作頻率:≥5Hz;脈沖寬度:≥3ns;峰值功率:≥80kW;光束質量:M²≤1.5。
115 1905WH0001-非隔離微??櫚繚?/td> 電子元器件 共4個品種,產品指標:
品種1:1.輸入電壓4.5V-20V;2.輸出電壓0.6V-5.6V;3.輸出電流20A,并聯可至80A;4.效率88%5.BGA封裝。
品種2:1.輸入電壓4.75V-28V;2.輸出電壓V1、2:0.8V-5.5V,輸出電壓V3:0.8V-13.5V;3.輸出電流5A、5A、4A;4.BGA封裝;
品種3:1.輸入電壓5V-58V;2.輸出電壓1.2V-48V;3.輸出電流1.7A-5.4A;4.BGA封裝;
品種4:1.輸入電壓2.8V-18V;2.輸出電壓2.5V-15V/-2.5V--15;3.輸出電流0.35mA.4.BGA封裝。
116 1905WH0002-高功率密度厚膜DC/DC變換器 電子元器件 共3個品種,產品指標:
品種1:1.輸入電壓范圍:16V~50V;2.輸出功率:50W;3.輸出電壓:3.3V;4.輸出電流:15.15A;5.效率:≥84%。
品種2:1.輸入電壓范圍:16V~50V;2.輸出功率:50W;3.輸出電壓:5V;4.輸出電流:10A;5.效率:≥85%;
品種3:1.輸入電壓范圍:16V~50V;2.輸出功率:50W;3.輸出電壓:15V;4.輸出電流:3.33A;5.效率:≥88%;
117 1905WH0003-大功率輸出磁隔離厚膜DC/DC變換器 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:1、輸入電壓范圍:16V~40V;2.輸出功率:100W;3.輸出電壓:15V;4.輸出電流:6.67A;5.效率:≥86%;
品種2:1.輸入電壓范圍:16V~40V;2.輸出功率:100W;3.輸出電壓:28V;4.輸出電流:3.57A;5.效率:≥85%;
 
118 1905WH0004-隔離型1W小功率小體積DC/DC變換器 電子元器件 共5個品種,產品指標:
品種1:1、輸入電壓范圍:5V;2.輸出功率:1W;3.輸出電壓:3.3V;4.輸出電流:0.3A;
品種2:1、輸入電壓范圍:5V;2.輸出功率:1W;3.輸出電壓:5V;4.輸出電流:0.2A;
品種3:1、輸入電壓范圍:5V;2.輸出功率:1W;3.輸出電壓:5V;4.輸出電流:0.2A;
品種4:1、輸入電壓范圍:12V;2.輸出功率:1W;3.輸出電壓:3.3V;4.輸出電流:0.39A;
品種5:1、輸入電壓范圍:12V;2.輸出功率:1W;3.輸出電壓:5V;4.輸出電流:0.2A;
119 1905WH0005-浪涌抑制器 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:額定輸入電壓:28V,瞬態輸入電壓:50V(1S),100V(100mS),600V(10uS);輸出最大電壓:40V;輸出電流:10A;最大直流電阻:120mΩ;噪聲抑制:≥60dB(500kHz);絕緣電阻(輸入、輸出-殼體):≥100MΩ(1500VDC );
品種2:輸入電壓:9~40V,瞬態輸入電壓:50V(1S),100V(50mS),600V(10uS);輸出最大電壓:40V;最大直流電阻:120mΩ;絕緣電阻(輸入、輸出-殼體):≥100MΩ(500VDC )。
120 1905WH0006-三通道高精度I/F轉換器 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:測量范圍:±48.5mA及以下;全溫零偏值:≤20nA;零偏一次通電穩定性(1σ):≤2nA;零偏月重復性(1σ):≤2nA;標度因數:≥6500pulses/s/mA;
品種2:測量范圍:±80mA及以下;功耗:≤2W;體積:64mm×50mm×8mm(不包括安裝法蘭);全溫零偏值:≤100nA; 零偏一次通電穩定性(1σ):≤3nA;零偏月重復性(1σ):≤10nA;標度因數:≥3000pulses/s/mA。     
121 1905WH0007-高壓直流無刷電機驅動器系列 電子元器件 共3個品種,產品指標
品種1:工作電壓范圍160V~400V,輸出電流:5A(限流值11~15A),導通壓降:≤1.0V;控制電壓:15V;靜態電流≤100mA;尺寸:(66×35×10)mm;ESD:2000V;
品種2:工作電壓范圍160V~400V,輸出電流:20A(限流值41~48A),導通壓降:≤2.0V;控制電壓:15V;靜態電流≤100mA;尺寸:(66×50×10)mm;ESD:2000V;
品種3:工作電壓范圍160V~400V,輸出電流:30A(限流值61~68A),導通壓降:≤3.0V;控制電壓:15V;靜態電流≤100mA;尺寸:(78×40×10)mm。
ESD:2000V;
122 1905WH0008-電機、功率MOSFET控制/驅動器 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:電源電壓:10V-30V ;電源電流Icc:12mA ;基準電壓:6.24V;振蕩頻率:25KHz。
品種2:電源電壓:4.5-25V;峰值驅動電流:2A;持續驅動電流:1A。
123 1905WZ0001-永磁交流伺服電機組件 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:55電機:包含55電機本體和滾柱絲杠。55電機本體指標:額定電壓160VDC,工作點1:轉矩1.5N.m,工作轉速≥10500rpm;工作點2:轉矩2.5N.m,工作轉速≥10000rpm;電機最大轉矩≥5N.m;
品種2:80電機:包含80電機本體、行星減速器和滾柱絲杠。80電機本體指標:額定電壓220VDC,工作點1:額定轉矩:4.8N.m,額定轉速≥14800rpm;工作點2:額定轉矩8.4N.m,額定轉速≥12000rpm。
124 1905WZ0002-高可靠電磁斷路器 電子元器件 共4個品種,產品指標:
品種1:級數:一級;額定電流:15A;分斷能力:20ln;額定電壓:125VDC;介質耐電壓:1500VAC;抗浪涌:[email protected];絕緣電阻:100MΩ;接觸電阻:1mΩ;
品種2:級數:二級;額定電流:20A;分斷能力:20ln;額定電壓:125VDC;介質耐電壓:1500VAC;抗浪涌:[email protected];絕緣電阻:100MΩ;接觸電阻:1mΩ;
品種3:級數:三級;額定電流:2A;分斷能力:20ln;額定電壓:125VDC;介質耐電壓:1500VAC;抗浪涌:[email protected]絕緣電阻:100MΩ;接觸電阻:1mΩ;
品種4:級數:三級;額定電流:35A;分斷能力:20ln;額定電壓:125VDC;介質耐電壓:1500VAC;抗浪涌:[email protected]絕緣電阻:100MΩ;接觸電阻:1mΩ。
125 1905WZ0003-宇航用小型同軸微波開關 電子元器件 共3個品種,產品指標:
品種1:SPDT(單刀雙擲)SMA型開關
工作頻段:DC~22GHz:駐波比:≤1.33;插入損耗≤0.35dB;隔離度≥65dB;重量≤62g;
品種2:DPDT(雙刀雙擲)SMA型開關
工作頻段:DC~22GHz:駐波比:≤1.33;插入損耗≤0.50dB;隔離度≥65dB;重量≤55g;
品種3:DP3T(雙刀三擲)SMA型開關
工作頻段:DC~22GHz:駐波比:≤1.33;插入損耗≤0.35dB;隔離度≥65dB;重量≤125g。
126 1905WZ0004-抗浪涌微小型電磁繼電器 電子元器件 共3個品種,產品指標:
品種1:JMW-270M型磁保持繼電器;動作時間≤2.0ms;觸點穩定時間≤2.5ms;
品種2:JRW-210M型微型密封直流電磁繼電器;動作時間≤2.0ms,釋放時間≤1.5ms;觸點穩定時間≤2.0ms;
品種3:JRW-220M型微型密封直流電磁繼電器;動作時間≤2.0ms,釋放時間≤1.5ms;觸點穩定時間≤2.0ms。
127 1905WZ0005-ZL27大功率射頻同軸連接器 電子元器件 共5個品種,產品指標:
品種1~品種5:品種規格:接電纜型連接器ZL27-J;微帶連接器:ZL27-KFD,ZL27-JFD;轉接器:ZL27/TNC,ZL27/SMA;頻率范圍:1.1GHz~1.3GHz;電壓駐波比(VSWR):≤1.1;介質耐電壓:3000 V;
128 1905WZ0006-高密度、高速率、開放式印制板連接器 電子元器件
共4個品種,產品指標:
品種1~品種4:10排X40芯,插合高度:8、9、11.5mm;8排X20芯,插合高度12.5mm;額定電流:2A;接觸電阻:≤20mΩ;絕緣電阻:≥10MΩ(常溫條件下);耐電壓:500V(常溫條件下);傳輸速率:20Gbps。
129 1905WZ0007-空間站太陽電池翼板間柔性互聯扁平電纜 電子元器件 共7個品種,產品指標:
品種1~品種7:產品規格:0.2mm*10線*0.5m;0.2mm*16線*0.5m;0.2mm*16線*10m-30m;0.2mm*40線*0.5m;0.4mm*10線*0.5m;0.4mm*16線*10m-30m;0.4mm*38線*10m-30m;
扁平電纜原子氧防護性能,滿足7.83×1026/m2防護要求;扁平電纜具有展開收攏功能,展開收攏力矩0.01N.m~0.4N.m;扁平電纜厚度:0.2mm(單線)、0.4mm(雙線),單次折疊最大收攏厚度小于2mm;
扁平電纜單線載流:7A(重量不大于6g/m/線)、2.5A(重量不大于1.5g/m/線);扁平電纜展開結構疲勞性能:不低于105次(位移量±3mm);扁平電纜耐磨性能:15kpa,位移量大于24m。
7A線路電阻不高于0.036Ω/m(20℃);2.5A線路電阻不高于0.15Ω/m(20℃)。
130 1905WZ0008-空間用高比能長壽命鋰離子蓄電池 電子元器件 共3個品種,產品指標:
品種1~品種3:單體容量:30Ah(LEO軌道)、45Ah(LEO軌道)、50Ah(GEO軌道);
單體比能量:≥190Wh/kg(LEO軌道),≥210Wh/kg(GEO軌道);單體循環壽命:≥44000~55000次(LEO軌道),≥1080~1350(GEO軌道)。
131 1905WZ0009-空間用高功率長壽命鋰離子蓄電池  電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1~品種2:單體容量:3Ah、8Ah;
單體比能量:≥90Wh/kg,放電倍率:30C~50C,在軌壽命:≥5年,循環壽命:≥100次。
132 1905WZ0010-電動力魚雷用鋁氧化銀電池 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:主要功能:為電動力魚雷動力系統、聲吶系統和儀表系統提供直流電源。
性能參數:工作電壓374V±25V;工作電流280A±30A;工作時間≥10min;額定容量50Ah;激活時間≤10s;重量≤145kg。
品種2:主要功能:為電動力魚雷動力系統、聲吶系統和儀表系統提供直流電源。
性能參數:工作電壓374V±25V;工作電流830A±30A;工作時間≥15min;額定容量212.5Ah;激活時間≤10s;重量≤685kg。
133 1905WZ0011-耐高溫長工作時間熱電池 電子元器件 共3個品種,產品指標:
工作溫度:-50℃~+450℃;比能量:≥80Wh/kg;激活方式:電激活;激活時間:≤1s;
品種1:工作電壓:42-68V,工作電流:穩態3A,脈沖60A,工作時間1800s;
品種2:工作電壓:70-100V,工作電流:穩態13A,脈沖60A,工作時間1800s;
品種3:工作電壓:220-320V,工作電流:穩態5A,脈沖60A,工作時間2600s。
134 1905WZ0012-彈用鋰原電池 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:5BU15電池組容量:15Ah,工作電壓:10-20V,比能量≥350Wh/kg(50A放電30s后按15A放電至10V)
品種2:16BU20電池組容量:20Ah,工作電壓:32-62V,比能量≥330Wh/kg(2500W放電45s后按1000W放電至32V)。
135 1905WZ0013-空間用長壽命高效薄膜砷化鎵太陽電池 電子元器件 共4個品種,產品指標:
品種1:效率不小于32%(AM0光譜);面積8cm2;彎曲半徑小于5cm;砷化鎵薄膜太陽電池(未封裝的單體)厚度不大于50μm;
品種2:效率不小于32%(AM0光譜);面積12cm2;彎曲半徑小于5cm;砷化鎵薄膜太陽電池(未封裝的單體)厚度不大于50μm;
品種3:效率不小于32%(AM0光譜);面積24cm2;彎曲半徑小于5cm;砷化鎵薄膜太陽電池(未封裝的單體)厚度不大于50μm;
品種4:效率不小于32%(AM0光譜);面積32cm2;彎曲半徑小于5cm;砷化鎵薄膜太陽電池(未封裝的單體)厚度不大于50μm。
136 1905WY0001-霍爾效應線性電流傳感器 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:LCB-PFF,陶瓷;Vcc:最大16V ;額定工作電壓5V;電流輸入范圍: -100A~100A;隔離電壓3kV,非線性度不大于±1.25%;
品種2:量程100A;輸出精度40mv/A;內阻100微歐,典型工作電壓5v。
137 1905WY0002-差壓/壓力傳感器芯體 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:差壓型芯體:量程7bar、21bar差壓,非線性0.1%,2倍過壓,3倍爆破壓力,重量不大于20g,10V供電,全量程輸出0-100mv;
品種2:壓力型芯體:壓力量程17Bar、70bar,非線性0.1%,2倍過壓,重量不大于5克,10V供電,全量程輸出0-100mv。
138 1905WY0003-耐高溫滑油液位傳感器 電子元器件 共3個品種,產品指標:
品種1~品種3:主要功能描述:用于實現在高溫環境下的發動機滑油液位測量。測量精度:5%FS;測量介質溫度:≮240℃;量程指標:0-200mm,0-280mm,0-420mm。
139 1905WY0004-高精度燃油液位傳感器 電子元器件 共2個品種,產品指標:
品種1:量程:35m;精度:±2mm;重復性:1mm;發射角:10°;過程溫度:-40~200°C;過程壓力:-1~16bar;輸出:4~20mA/HART;天線型式:PTFE密封天線;防護等級:IP68(0.2bar)。
品種2:量程:1.8m~2.9m;介電常數:εr ≥ 1.6;精度:±2mm;重復性:±1mm;盲區:頂部100mm,底部50mm;輸出形式:4-20mA/HART;過程溫度:-40 -+150 °C;過程壓力:-1 … +40 bar;防護等級:IP68 (0.2 bar)。
140 1905WY0005-多功能溫濕度傳感器 電子元器件 共1個品種,產品指標:
主要功能描述:產品是一種測量溫度、濕度、露點及霜點的多功能氣象傳感器。通訊接口:RS232; 溫度測量范圍:-50℃~100℃;濕度測量范圍:0~100%RH ;溫度精度:0.1℃ ;濕度精度:0.8%RH ;                  
141 1905WY0006-溫鹽深傳感器 電子元器件 共1個品種,產品指標:
耐壓:3MPa;采樣頻率:1.83-4.5Hz;溫度測量范圍:-2~32℃;電導率測量范圍:0-70ms/cm;壓力測量范圍:0~3MPa;溫度精度:±0.002℃;電導率精度:±0.009ms/cm;壓力精度:±0.1%滿量程;通信接口RS232;工作電壓DC12V。
142 1905WY0007-壓力變送器 電子元器件 共1個品種,產品指標:
量程:-2kPa~15kPa,表壓;  0kPa~1000kPa,表壓;0kPa~1000kPa,絕壓;0kPa~105kPa,表壓;2kPa~120kPa,絕壓;精度:0.05%F.S(-55℃~70℃);工作電流:≤200mA;使用高度范圍:0km~25km;上電時間:≤20ms;
143 1905WY0008-旋轉彈無驅動結構微機械陀螺 電子元器件 共3個品種,產品指標:
品種1:測量范圍:自旋1~15r/s,俯仰/偏航150°/s;零偏:≤0.5°/s;零偏穩定性:10°/h;分辨率:0.001°/s;非線性度:≤0.5%FS;
品種2:測量范圍:自旋1~10r/s,俯仰/偏航180°/s;零偏:≤0.5°/s;零偏穩定性:10°/h;分辨率:0.001°/s;非線性度:≤0.5%FS;
品種3:測量范圍:自旋1~5r/s,俯仰/偏航300°/s;零偏:≤0.5°/s;零偏穩定性:10°/h;分辨率:0.001°/s;非線性度:≤0.5%FS。
144 1905WY0009-小型慣性測量器件 電子元器件 共1個品種,產品指標:
供電電壓:5V±0.25V;角速度:測量范圍:±400°/s;零偏穩定性:0.3°/h;非線性:50ppm;角度隨機游走:0.15°/√h;帶寬:100Hz;加速度:測量范圍:±10g;零偏穩定性:0.05mg;分辨率:5ug。
145 1905WY0010-板式陣列電感器 電子元器件 共4個品種,產品指標:
品種1:初始磁導率μ≥1000;工作電壓:200V;介質耐壓:600V;絕緣電阻:≥10GΩ;電感量(μH):BE25:≥0.25;
品種2:初始磁導率μ≥1000;工作電壓:200V;介質耐壓:600V;絕緣電阻:≥10GΩ;電感量(μH):BK1538:≥0.4;
品種3:初始磁導率μ≥1000;工作電壓:200V;介質耐壓:600V;絕緣電阻:≥10GΩ;電感量(μH):BA1135:≥0.6;
品種4:初始磁導率μ≥1000;工作電壓:200V;介質耐壓:600V;絕緣電阻:≥10GΩ;電感量(μH):BD2412:≥0.35。
146 1905WY0011-高溫片式薄膜固定電阻器 電子元器件 共5個品種,產品指標:
品種1~品種5:主要功能描述:主要應用于高溫傳感器處理系統中,滿足較高溫度環境下,精密電信號的采集用。阻值范圍(@25℃):RMK1005HT:10Ω~4.7KΩ,RMK1608HT:10Ω~50KΩ、RMK2012HT:10Ω~100KΩ、RMK3216HT:10Ω~200KΩ、RMK5025HT:10Ω~300KΩ;額定功率(@215℃):RMK1005HT:0.0189W,RMK1608HT:0.0375W、RMK2012HT:0.06W、RMK3216HT:0.1W、RMK5025HT:0.2W;極限電壓:RMK1005HT:50V,RMK1608HT:75V、RMK2012HT:150V、RMK3216HT:200V、RMK5025HT:300V;
147 1905WY0012-片式壓敏電阻器 電子元器件 共8個品種,產品指標:
主要功能描述:主要起過電壓?;?、抑制浪涌電流等作用。
品種1、品種2:工作電壓:9V/18V;壓敏電壓:12V±15%/24V±10%;峰值電流:≥30A;  
品種3、品種4:工作電壓:11V/22V;壓敏電壓:15V±15%/30V±10%;峰值電流:≥120A;
品種5、品種6:工作電壓:26V/38V;壓敏電壓:33V±10%/47V±10%;峰值電流:≥200A;
品種7、品種8:工作電壓:38V/56V;壓敏電壓:47V±10%/68V±10%;峰值電流:≥250A;
漏電流:≤30μA。                                                                                                                     
148 1905WY0013-內在保險絲導電聚合物片式鉭電容器 電子元器件 共5個品種,產品指標:
額定電壓:10V~50V;標稱電容量:47μF~470μF;標稱電容量允許偏差:±10%;
CAK55Y型:
品種1:16V-330μF; 品種2:20V-220μF; 品種3:25V-150μF; 品種4:35V-68μF; 品種5:V-47μF。
149 1905WW0001-高功率微波防護限幅器系列 電子元器件 共3個品種,主要指標:
品種1:工作頻率:0.03~2GHz;耐功率(Ta=25℃)≥1000W(脈寬10us,1%),≥30W(CW);插入損耗≤[email protected]~2GHz;限幅輸出功率≤[email protected];輸入輸出駐波≤1.5;
品種2:工作頻率:2~6GHz;耐功率(Ta=25℃)≥1000W(脈寬10us,1%)≥30W(CW);插入損耗≤[email protected]~6GHz;限幅輸出功率≤[email protected];輸入輸出駐波≤1.5;
品種3:工作頻率:6~18GHz;耐功率(Ta=25℃)≥1000W(脈寬10us,1%),≥30W(CW);插入損耗≤[email protected]~18GHz;限幅輸出功率≤[email protected];輸入輸出駐波≤1.5。
150 1905WW0002-微波毫米波溫度補償衰減器芯片系列 電子元器件 共3個品種,主要指標:
●工作頻率:DC-20GHz;衰減量@[email protected]℃:2-7dB;衰減精度:±0.5dB;溫度系數:N3-N9;駐波比:≤1.3;額定功率0.2W。
●工作頻率:16-36GHz;衰減量@[email protected]℃:2-6dB;衰減精度:±1.0dB;溫度系數:N5-N7;駐波比:≤1.35;額定功率0.1W。
●工作頻率:20-40GHz;衰減量@[email protected]℃:2-6dB;衰減精度:±1.0dB;溫度系數:N5-N7;駐波比:≤1.35;額定功率0.1W。
151 1905WW0003-超寬帶微波/毫米波噪聲二極管系列 電子元器件 共3個品種,主要指標:
品種1:工作頻率:75GHz~110GHz;工作電壓:10~12V;工作電流:小于40mA;特征阻抗:50Ω;輸出ENR:不小于15dB;輸出形式:裸片表貼或梁氏引線封裝,尺寸不大于3mm×3mm。
品種2:工作頻率:18GHz~110GHz;工作電壓:10~12V;工作電流:小于40mA;特征阻抗:50Ω;輸出ENR:不小于15dB;輸出形式:裸片表貼或梁氏引線封裝,尺寸不大于3mm×3mm。
品種3:工作頻率:1GHz~110GHz;工作電壓:10~12V;工作電流:小于40mA;特征阻抗:50Ω;輸出ENR:不小于15dB;輸出形式:裸片表貼或梁氏引線封裝,尺寸不大于3mm×3mm。  
152 1905WW0004-InP高頻超寬帶分頻器 電子元器件 共2個品種,主要指標(25℃典型值):
品種1:頻率范圍:4GHz~50GHz;分頻比:2;輸入功率范圍:-10dBm~[email protected];輸出功率范圍≥[email protected];SSB相位噪聲≤-130dBc/[email protected]、30GHz輸入;直流功耗≤500mW;
品種2:頻率范圍:26GHz~67GHz;分頻比:2;輸入功率范圍:-5dBm~[email protected];輸出功率范圍≥[email protected];
SSB相位噪聲:≤-130dBc/[email protected]、30GHz輸入;直流功耗≤900mW。
153 1905WW0005-0.3-110GHz儀表用功率放大器芯片 電子元器件 共6個品種,主要指標:
品種1:頻率:0.3~6GHz;輸出功率:30W;線性增益:25dB;效率:35%。
品種2:頻率:6~18GHz;輸出功率:20W;線性增益:25dB;效率:20%。
品種3:頻率:40~67GHz;輸出功率:2.5W;線性增益:18dB;效率:17%。
品種4:頻率:50~75GHz;輸出功率:2W;線性增益:17dB;效率:16%。
品種5:頻率:60~90GHz;輸出功率:1.5W;線性增益:15dB;效率:15%。
品種6:頻率:75~110GHz;輸出功率:1W;線性增益:12dB;效率:10%。
154 1905WW0006-超寬帶超平坦極低噪聲放大器 電子元器件 共3個品種,主要指標:
品種1:工作頻率:0.38~2GHz;噪聲系數(全頻帶)≤1.4dB;增益(全頻帶)≥30±0.5dB(常溫),≥29.1±1.2dB(高溫);帶內平坦度:±0.3dB(每0.3GHz帶寬內);輸入P-1≥-25dBm;輸出P-1≥+23dBm;功耗≤150mA(+5±0.2V)或≤60mA(+12±0.2V);駐波≤1.8。
品種2:工作頻率:2~8GHz;噪聲系數(全頻帶)≤1.5dB;增益(全頻帶)≥31±0.7dB,≥30±1.5dB(高溫);帶內平坦度:±0.5dB(每1GHz帶寬內);輸入P-1≥-25dBm;輸出P-1≥+23dBm;功耗≤150mA(+5±0.2V)或≤60mA(+12±0.2V);駐波≤1.8。
品種3:工作頻率:8~18GHz;噪聲系數(全頻帶)≤2.2dB;增益(全頻帶)≥34±0.7dB,≥35±1.5dB(高溫);帶內平坦度:±0.5dB(每1GHz帶寬內);輸入P-1≥-25dBm;輸出P-1≥+20dBm;功耗≤240mA(+5±0.2V)或≤100mA(+12±0.2V);駐波≤1.8。
155 1905WW0007-集成譯碼和驅動單刀多擲開關芯片系列 電子元器件 共4個品種,主要指標:
品種1:0.1~12GHz SP4T開關芯片:頻率范圍:0.1-12GHz;插入損耗<2.5dB;隔離度>40dB;典型回波損耗:15dB;輸入P-1dB>18dBm(12GHz);開關時間<50nS;工作電壓:-5V;-5/0V TTL控制,集成2-4  譯碼器、驅動器。
品種2:0.1~18GHz SP4T開關芯片:頻率范圍:0.1-18GHz;插入損耗<3.0dB;隔離度>36dB;典型回波損耗:15dB;輸入P-1dB>18dBm(18GHz);開關時間<50nS;工作電壓:-5V;-5/0V TTL控制,集成2-4  譯碼器、驅動器。
品種3:0.1~8GHz SP8T開關芯片:頻率范圍:0.1-8GHz;插入損耗<3.0dB;隔離度>40dB;典型回波損耗:14dB;輸入P-1dB>25dBm(8GHz);開關時間:<50nS;工作電壓:-5V;-5/0V TTL控制,集成3-8  譯碼器、驅動器。
品種4:0.1~12GHz SP8T開關芯片:頻率范圍:0.1-12GHz;插入損耗<3.5dB;隔離度>36dB;典型回波損耗:14dB;輸入P-1dB>25dBm(12GHz);開關時間<50nS;工作電壓:-5V;-5/0V TTL控制,集成3-8  譯碼器、驅動器。
156 1905WW0008-毫米波硅基多通道收發芯片系列 電子元器件 共2個品種,主要指標:
品種1:基于CMOS工藝,集成了4個通道的發射功放、低噪放、移相器等模擬電路以及SPI接口轉換電路,以高效率為設計目標。主要參數:頻率32G~37G;發射輸出功率17dBm;發射效率15%;移相位數:6位;調幅位數4位;噪聲系數6.5dB;
品種2:基于CMOS工藝,集成了16個通道的發射功放、低噪放、移相器等模擬電路以及SPI接口轉換電路,以高效率為設計目標。主要參數:頻率32G~37G;發射輸出功率17dBm;發射效率15%;移相位數:6位;調幅位數4位;噪聲系數6.5dB。
157 1905WW0009-硅基MEMS封裝開關濾波器組件 電子元器件 共4個品種,主要指標:
品種1:頻率范圍:6~18GHz;開關濾波通道數:5;通帶帶寬:4GHz;帶外抑制度(邊帶1GHz處):40dBc;外形尺寸≤20mm*17mm*2.5mm;插損≤10dB。
品種2:頻率范圍:6~18GHz;開關濾波通道數:6;通帶帶寬:2GHz;帶外抑制度(邊帶1GHz處):40dBc;外形尺寸≤20mm*17mm*2.5mm;插損≤10dB;
品種3:頻率范圍:0.8~12GHz;開關濾波通道數:6;帶外抑制度:30dBc;外形尺寸≤20mm*17mm*2.5mm;插損≤10dB;
品種4:頻率范圍:18~40GHz;開關濾波通道數:8;帶外抑制度(邊帶1GHz處):40dBc;外形尺寸≤20mm*17mm*2.5mm;插損≤10dB。
158 1905WW0010-芯片化微波無源器件系列 電子元器件 共4個品種,主要指標:
品種1:PCMR濾波器,中心頻率范圍:140MHz;1dB帶寬≥1MHz;帶外抑制≥[email protected]±10MHz;功率≤2W。
品種2:MMIC濾波器,中頻頻率范圍:35GHz;1dB帶寬≥3GHz;帶外抑制≥[email protected]±5GHz;功率≤23dBm。
品種3:MEMS環行器,頻率范圍:32GHz~38GHz;插入損耗≤1dB;隔離度≥15dB;功率≤20W。
品種4:MEMS同軸,頻率范圍:100MHz~40GHz;插入損耗≤0.32dB/[email protected];功率:≤5W。
159 1905WD0001-6-18GHz大功率脈沖行波管 電子元器件 共1個品種,主要指標:
頻率:6-18GHz;功率≥5kW(6-17GHz)、≥4kW(17-18GHz);工作比:5%;效率≥25%(6-17GHz);
增益:≥30dB;同步電壓≤16kV;冷卻方式:強迫風冷;外形尺寸:≤480mm×100mm×100mm。
160 1905WD0002-數字化相位一致毫米波功率???/td> 電子元器件 共1個品種,主要指標:
頻率:26.5-40GHz;功率:≥50W;效率:≥25%;相位不一致性:≤±20º;外形:≤280×135×23mm3;輸入:2.4mm;輸出:BJ320;壽命:10000h;具有數字相位一致度調整功能。
161 2019WR0001-航天用雙電層電容器可靠性保證技術攻關 電子元器件 1.研究雙電層電容器對航天應用環境的適應性(主要為振動、沖擊等力學條件的影響)
162 2019WR0002-導電聚合物鋁電容器可靠性提升工藝技術攻關 電子元器件 1.開展導電聚合物疊層、線繞鋁電容器微觀結構分析和失效物理研究,得出鋁電容器的失效模式與機理,為科學評價與合理應用奠定基??;
163 2019WR0003-軍用厚膜片式電阻器抗硫化工藝技術攻關 電子元器件 1.研究厚膜片式電阻器硫化失效模式及失效機理;
2.軍用厚膜片式電阻器抗硫化工藝優化攻關,并在至少2款典型產品中獲得驗證;
164 2019WR0004-硅肖特基二極管低反向漏電流工藝技術攻關 電子元器件 1.建立硅肖特基二極管芯片金屬硅化物形成模型,包括金屬勢壘濺射功率、濺射時間、濺射時硅片溫度參數等;
2.建立肖特基退火工藝模型,包括金屬硅化物退火溫度、時間、氮氣流量、氫氣流量等參數;
165 2019WR0005-高壓快恢復整流二極管軟度因子優化工藝技術攻關 電子元器件 1.反向恢復特性與正向壓降參數匹配性研究;
166 2019WR0006-高壓快恢復整流二極管評估及加固技術攻關 電子元器件 1.研究宇航用臺面工藝玻鈍高壓快恢復整流二極管試驗方法;
167 2019WR0007-硅基高頻小功率晶體管加固工藝技術攻關 電子元器件
1.基于硅基高頻小功率不同工藝條件下的誘導缺陷形成及演化規律研究;
168 2019WR0008-線纜艙外環境適應性評價和材料優化工藝攻關 電子元器件 1.航天器用線纜艙外應用需求分析,明確線纜艙外應用需求的要素,針對型號應用需求,建立線纜艙外應用可靠性表征指標體系;
169 2019WR0009-光通信用半導體激光器加固技術攻關 電子元器件 1.半導體激光器輻射損傷機理及建模;
170 2019WR0010-電磁斷路器鎖定可靠性工藝技術攻關 電子元器件 1.對導致國產電磁斷路器鎖定不可靠的故障機理進行匯總和深化分析,找出導致經常導致出現電磁斷路器鎖定不可靠的結構、電氣、材料以及控制方面不合理因素,進行優化改進;
171 2019WR0011-基于氮化鋁陶瓷基片Au凸點倒裝芯片工藝及可靠性技術攻關 電子元器件 1.AIN HTCC基板薄膜金屬化制備技術研究;
2.裸芯片Au凸點Flip Chip工藝技術研究;
172 2019WR0012-三維堆疊灌封器件表面互聯可靠性評價及工藝技術攻關 電子元器件 1.開展塑封器件表面互聯金屬鍍覆層結合力的量化表征技術,采用微納米尺度壓力、鍍層拉力測試等不同加載形式綜合形成表面互聯可靠性的量化技術方法
173 2019WR0013-基準源、LDO等電源類器件工藝技術攻關 電子元器件 1.通過TCAD仿真軟件,模擬雙極型晶體管的瞬態效應,分析器件工藝對瞬態波形的影響,提出可以減緩器件瞬態效應的技術路線,并進行試驗驗證;
174 2019WR0014-X-ETFE導線組件防氟腐蝕貯存工藝技術攻關 電子元器件 1.典型生產廠X-ETFE導線的氟析出動力學研究,摸清氟析出規律:進行C55導線熱水浸泡試驗,計算氟析出的動力學模型;進行C55導線封閉容器的高溫熱處理試驗,計算氟析出的動力學模型
175 2019WR0015-高密度CCGA裝聯工藝技術攻關 電子元器件 1.宇航用CCGA裝聯工藝失效模式、失效機理及工藝相關性研究,獲取典型性的CCGA器件特性,明確與裝聯工藝相關性,開展溫度、振動等熱/力學環境試驗驗證
176 2019WR0016-軍用高倍率長壽命鋰原電池可靠性提升工藝技術攻關 電子元器件 1.彈用高倍率長壽命鋰原電池產品固有可靠性影響因素及其機理研究
177 2019WR0017-熱電池在彈上環境應力條件下的可靠性提升技術攻關 電子元器件 1.熱電池工作狀態下關鍵材料的物理、化學性能研究,主要包括:隔離層三維結構的穩定性分析,正負極材料的反應及分解特性的熱力學和動力學研究;
178 2019WR0018-軍用氫質子交換膜燃料電池可靠性提升工藝技術攻關 電子元器件 1.研究燃料電池堆的失效機理,建立失效模型;
2.提高電極的材料與結構工藝,滿足-30℃~50℃下的使用要求;
179 2019WR0019-集成電路芯片制造工藝可靠性結構表征(TCV)技術研究 電子元器件 1.全面調研我國自主集成電路工藝線TCV(固有失效機理)實施現狀與存在問題,評估實施能力與水平;
180 2019WR0020-直流有刷電機耐復雜力學環境及長壽命工藝技術攻關 電子元器件 1.通過對電機電刷、換向器、電樞材料技術研究、加工工藝技術攻關,實現導引頭用電機復雜環境下電刷與換向器長期、穩定工作,提升電機耐極端力學環境能力及長期貯存工作可靠性;
181 2019WR0021-超薄鍺單晶拋光片翹曲形貌控制工藝技術攻關 電子元器件 1.鍺片低損傷多線切割技術
通過切割溫度和切割速率的優化,降低切割表面損傷,降低切割應力,通過變速切割,解決不同切割位置切割力不均的問題,改善鍺片的翹曲形貌;
182 2019WR0022-耐海洋環境復合材料連接器工藝技術攻關 電子元器件 1.復合材料加工工藝技術攻關
通過攻關,09、13、17、21、25號殼體等五個品種的外部彎曲力矩、附件螺紋強度、振動等符合GJB599B規定。主要內容包括:根據產品服役環境評估優化復合材料類型或規格;仿真、優化復合材料連接器殼體結構,提高螺紋連接強度及彎曲扭矩;
183 1905WM0001-PIN光電二極管用6英寸超高阻厚層硅外延片 電子元器件 共2個品種。
品種1:導電類型:N型;厚度:30μm~50μm;電阻率:≥2000Ω•cm;厚度不均勻性:≤1.5%;
品種2:導電類型:P型;厚度:120μm~130μm;電阻率:>1000 Ω•cm;厚度不均勻性:≤3%;
184 1905WM0002-InGaAs/InP雪崩光電二極管(APD)材料 電子元器件 共1個品種。
外延片尺寸:3英寸,InP本底濃度<5×1014cm-3,InP薄膜遷移率(室溫)>4000cm2/V.s, InGaAs本底濃度<8×1014cm-3,InGaAs薄膜遷移率(室溫)>10000cm2/V.s
185 1905WM0004-直徑125μm單偏振光纖 電子元器件 共1個品種。
工作波長: 1053nm,光譜帶寬:≥120nm,消光比:≥30dB/5m,損耗:≤0.01dB/m,包層直徑:125±2μm
186 1905WM0005-6英寸超薄鍺襯底材料 電子元器件 共1個品種。
P型,晶向:<100>偏(111)9°±0.5°,電阻率:(0.001~0.05)Ω•cm,電阻率不均勻性:≤10%,位錯密度:≤500個/cm2,晶片厚度:(250±15)μm,機械強度:≥3磅,TTV:≤8μm;
187 1905WM0006-鉻基金屬氧化物電池材料 電子元器件 共2個品種。
品種1:粒度D50:3µm~ 4µm;比表面積: 0.9~1.2m2/g;碾壓密度:≥2.2g/cm3
品種2:粒度D50:1.8~3.2 µm;比表面積:1.2 ~2m2/g;碾壓密度≥2.1g/cm3;
188 1905WM0007-超高居里溫度壓電陶瓷材料 電子元器件 共3個品種。
品種1:居里溫度Tc ≥ 650℃,壓電應變常數d33:≥30pC/N,高溫電阻率:≥107Ωcm(482℃)
品種2:居里溫度Tc ≥ 900℃,壓電應變常數d33:≥20pC/N,高溫電阻率:≥5×106Ωcm(600℃)
品種3:居里溫度Tc ≥ 1300℃,壓電應變常數d33:≥3pC/N  ,高溫電阻率:≥106Ωcm(650℃)
189 1905WM0008-芯片電容用介質陶瓷材料 電子元器件 共3個品種。
品種1:介電常數(25℃,1MHz):3300±300 ,絕緣強度 ≥6KV/mm,電容量隨溫度變化率(%)±10
品種2:介電常數(25℃,1MHz):4500±400,絕緣強度 ≥6KV/mm ,電容量隨溫度變化率(%)  ±15  
品種3:介電常數(25℃,1MHz) 25000±2500,絕緣強度≥0.3KV/mm ,電容量隨溫度變化率(%) ±15
190 1905WM0009-埋入式芯片電容用介質材料 電子元器件 共1個品種。
介電常數(25℃,1MHz):2000±200,絕緣強度 ≥4KV/mm,燒結溫度:≤950℃
191 1905WM0010-雙工器用超高Q值微波介質陶瓷材料 電子元器件 共1個品種。
介電常數:24±0.3,品質因子Q•f:>230000GHz,頻率溫度系數:0±2ppm/℃(-55~85℃),粉體粒徑D50:0.5±0.1µm
192 1905WM0011-疊層片式電感器用低溫共燒陶瓷材料 電子元器件 共1個品種。
介電常數ε≤4.8(1 MHz,25℃),介電損耗tanδ≤2×10-3(1MHz,25℃),熱膨脹系數(30~380℃):4.2±1(10-6/K),體積電阻率(150℃):≥1013(Ω.cm);
193 1905WM0012-高壓多層片式壓敏電阻器用介質陶瓷材料 電子元器件 共1個品種。
電位梯度E1mA/(V*mm-1):1400±100V/mm,非線性系數:α≥30,介電常數:300±100,粒度:D10≤0.6μm,D50≤1.2μm,D90≤3.0μm;
194 1905WM0013-高溫高穩定稀土鈷永磁材料 電子元器件 共3個品種。
工作溫度≥450℃,HcJ(kA/m)≥1989kA/m。
品種1:αm(10-6/℃):-150±50, (BH)max(kJ/m3):143±8
品種2:αm(10-6/℃): -100±50, (BH)max(kJ/m3): 127±8
品種3:αm(10-6/℃): -100±50,(BH)max(kJ/m3): 103±10。
195 1905WM0014-寬頻高居里溫度高磁導率MnZn鐵氧體材料 電子元器件 共3個品種。
品種1:μi(10kHz,25℃,B≤0.5mT):15000±25%,Bs(10kHz,25℃,1200A/m):≥390mT,Tc≥125℃
品種2:μi(10kHz,25℃,B≤0.5mT): 18000±25%,Bs(10kHz,25℃,1200A/m):≥370mT,Tc≥110℃
品種3:μi(10kHz,25℃,B≤0.5mT): 20000±30%,Bs(10kHz,25℃,1200A/m):≥370mT,Tc≥110℃。
196 1905WM0015-毫米波行波管用高精值高可靠釤鈷磁體 電子元器件 共3個品種。
品種1:(BH)max:247±16 kJ/m3,HcJ≥1989 kA/m,Br/(μ0HcB):1.04~1.08,Tm≥300℃
品種2:(BH)max:231±16 kJ/m3,HcJ≥2387 kA/m,Br/(μ0HcB):1.04~1.07,Tm≥350℃
品種3:(BH)max:215±16 kJ/m3,HcJ≥2548 kA/m),Br/(μ0HcB):1.04~1.07,Tm≥350℃
197 1905WM0016-發射電流密度≥150A/cm2陰極材料 電子元器件 共1個品種。
工作溫度≤1100℃,電流密度≥150A/cm2,壽命≥2000小時(電子槍內@50A/cm2)。
198 1905WM0017-多層微波電路用熱固性低介微波復合介質基板材料 電子元器件 共2個品種。
介電常數:3.48±0.05(10GHz),損耗因子:≤0.0037(10GHz),品種1:厚度及均一性:0.508±0.025mm
品種2:厚度及均一性:0.762±0.03mm;
199 1905WM0018-匹配9K7電子漿料 電子元器件 共12個品種。
匹配杜邦9K7基板用金導體、銀系導體、電阻漿料。
200 1905WM0019-中溫低損耗氧化鋁封裝材料體系 電子元器件 共2個品種。
產品1:介電常數:9~9.5,抗彎強度:≥450MPa,燒結溫度:≤1300℃
產品2:固含量:75%~90%,粘度:100(Pa•s,10rpm)~500(Pa•s,10rpm),細度:≤10μm,導體方阻:≤5mΩ/□
201 1905WM0020-導熱吸波材料 電子元器件 共3個品種。
品種1:電磁波衰減系數:≥4dB/cm(2GHz),≥10dB/cm(8GHz),≥13dB/cm(18GHz),密度:≤4.0g/cm3,導熱系數:≥1.5 W/m•K。                             品種2:電磁波衰減系數:≥5dB/cm(2GHz),,≥11dB/cm(8GHz),≥15dB/cm(18GHz),密度:≤4.5g/cm3,導熱系數:≥2.5 W/m•K。
品種3:電磁波衰減系數:≥5dB/cm(2GHz),≥11dB/cm(8GHz),≥15dB/cm(18GHz),密度:≤4.5g/cm3,導熱系數:≥1.5 W/m•K。
202 1905WP0001-大尺寸LTCC基板釬焊型鋁硅金屬外殼系列 電子元器件 共2個品種。
底盤材料:鋁硅,基板材料:LTCC,焊接孔洞率:≤10% ,單個孔洞小于1.5mm×1.5mm,翹曲度:≤5μm/mm
203 1905WP0002-多光路-射頻多腔體金屬外殼系列 電子元器件 共2個品種。
漏氣速率:≤1×10-3Pa•cm3/s,絕緣電阻:500VDC,R≥1×1010Ω,透光率>98%,微波特性:頻率40G,駐波比≤1.2
204 1905WP0003-陶瓷絕緣子圓形金屬外殼系列 電子元器件 共2個品種。
絕緣電阻≥1×1010Ω,溫度循環:-65℃~175℃,500次循環,漏氣率≤1×10-3Pa•cm3/s(He,環境和機械試驗后),鹽霧試驗:48h
205 1905WP0004-基于HTCC的TR組件用陶瓷外殼系列 電子元器件 共2個品種。
品種1:引出端數量:24;金屬底盤熱導率≥200W/m•K;
品種2:引出端數量:16;產品應用頻段:8 GHz -12.5GHz;
鹽霧(未封口):24h
206 1905WP0005-高密度雙面腔氮化鋁陶瓷外殼系列 電子元器件 共2個品種。
基體材料:AlN-HTCC,雙面多腔,抗彎強度:≥400MPa,導帶方阻:≤15mΩ/□,金屬化附著力:≥43N/mm2
207 1905WP0006-內部LGA垂直傳輸結構FP型陶瓷外殼系列 電子元器件 共2個品種。
應用頻率(GHz):8~12.5,傳輸端口回波損耗(dB):S11≤-15,傳輸端口插入損耗(dB):S21≥-0.5,標準偏差≤0.05,隔離度(dB):≥35
208 1905WP0007-電源用低阻上下腔CSOP型陶瓷外殼系列 電子元器件 共2個品種。
輸入端/輸出端引線電阻:≤20mΩ,帶熱沉,上下腔,內配金錫合金焊環的陶瓷蓋板,鹽霧:24h
209 1905WP0008-二次密封結構CLCC型陶瓷外殼系列 電子元器件 共2個品種。
密封區平面度:≤50μm,差分對輸入端/輸出端引線電阻:≤200mΩ,氣密性:≤1×10-3Pa•cm3/s(A4),絕緣電阻:≥1×1010Ω,500VDC
210 1905WP0009-低引線電阻表貼型陶瓷外殼系列 電子元器件 共2個品種。
金屬化剝離強度:≥4.3kg/mm2,方阻:5 mΩ/□~8mΩ/□,引線電阻:≤0.01Ω,氣密性、溫度循環、恒定加速度、引線牢固度等滿足GJB923A 要求,工作溫度: -65℃~175℃
211 1905WP0010-3000W微波大功率器件用外殼 電子元器件 共3個品種。
應用頻率:8GHz~12GHz,導通電阻:≤10mΩ,傳輸端口射頻隔離度:≥35db,射頻傳輸端口插入損耗:≤0.25db


      附件二: 
中央軍委裝備發展部信息系統局關于2019年
電子元器件科研項目評審工作規范
 
第一章  總則
第一條  為規范中央軍委裝備發展部信息系統局(以下簡稱信息系統局)2019年電子元器件科研項目立項評審工作,營造有利于激發創新活力的公平公正競爭環境,制定本工作規范。
第二條  本工作規范是2019年電子元器件科研項目立項評審工作的基本依據。
第三條  立項評審分為初審和會議評審,可按專業領域并行開展評審工作。
 
第二章  項目申報與形式審查
第四條  申報單位應具備以下條件:
(一)在中華人民共和國境內注冊且法定代表人具有中華人民共和國國籍;
(二)非外資控股企業;
(三)不得為從事代理、銷售等非科研生產性質的單位;
(四)取得國家標準的質量管理體系認證證書;
(五)涉密項目申報單位需具備需三級(含)以上保密資格,以及相應專業的裝備承制單位資格;
注:如申報單位不具備裝備承制單位資格,且經評審最終成為項目承研單位,須經信息系統局組織進行裝備承制單位資格審查后,方可簽訂研制合同。
第五條  申報單位根據需求對接階段領取的項目任務書編寫項目申報材料,申報材料采取現場集中受理的方式,不受理非現場申報的材料。
第六條  申報單位可申報多個項目,但不允許只申報項目的部分研究內容。
第七條  申報材料受理時,同步完成形式審查。以下情況視為形式審查不通過:
(一)申報材料不齊全;
(二)申報項目的編號、名稱與需求信息不符;
(三)申報單位保密資質不滿足申報項目密級要求;
(四)申報單位上報的初審材料透露申報單位信息;
(五)有關材料未按要求加蓋申報單位公章,或公章與申報單位不符;
(六)其他明顯不符合申報要求的情況。
第八條  現場形式審查未通過的申報材料,可修改后在項目受理期內再次提交,超過受理期限不予受理。
 
第三章  初審
第九條  超過5個申報單位的項目,需進行初審和會議評審;不超過5個(含)的申報單位的項目直接采取會議評審方式。
第十條  初審采取盲評方式,專家組按照“指定+隨機抽取相結合”的方式,從信息系統局確定的專家庫中遴選組成,人數一般為5-7人,主要為技術專家。
第十一條  初審過程中,專家各自獨立對項目申報書的研究目標、研究進度、研究成果、關鍵技術、研究方案及技術途徑等內容進行書面審查并打分。每個項目申報書的得分為去掉一個最高分、去掉一個最低分后的平均值。
第十二條  每個項目得分前5名,且高于70分的單位為初審通過單位。
 
第四章  會議評審
第十三條  通過初審進入會議評審的項目,原則上應由申報單位的項目負責人到會答辯,不到會答辯的,視為放棄申報。
第十四條  會議評審專家組按照“指定+隨機抽取相結合”的方式,從信息系統局確定的專家庫中遴選組成,人數一般為11-15人,主要由技術專家(包括行業專家和用戶專家)和價格專家構成,會議評審專家不得作為申報單位項目負責人進行答辯。
第十五條  申報單位參加會議評審入場前,應當對評審專家組名單予以確認。申報單位如有充足理由申請專家回避的,應向軍委裝備發展部信息系統局提出書面申請,軍委裝備發展部信息系統局會同評審專家組集體研究決定是否予以回避。申報單位確認后方可參加會議評審。
第十六條  會議評審過程中,申報單位匯報項目綜合立項論證報告和經費概算報告后。技術專家各自獨立按照評審指標體系對項目進行打分,并給出是否同意立項結論。計算該單位項目得分時,首先隨機去除2名技術專家得分,再去掉一個最高分和一個最低分得出的平均值,為最終得分。得分高于70分,且三分之二以上技術專家同意立項為通過評審。
注:承研單位在研合同執行情況得分將納入評審指標體系,如承研單位無在研項目,其合同執行得分按參加該項目評審的其他單位合同執行情況得分平均值計算。
第十七條  技術專家和價格專家按照有關財務規章制度,各自獨立給出項目概算評審經費。計算專家組建議概算時,去掉一個最高經費(在經費相同時去掉財務專家的建議經費)、一個最低經費(在經費相同時去掉技術專家的建議經費),并按照價格專家權重為1.2、技術專家權重為1得出專家組建議概算。
十八  型譜類項目(編號含WJ、WH、WW、WQ、WG、WZ、WY、WD字段)選取通過評審的綜合得分前2名單位為候選承研單位。第一名單位項目經費為該單位申報經費與專家組建議經費的就低值,第二名單位項目經費為該單位申報經費與50%專家組建議經費的就低值。
第十九條  型譜類以外項目原則上選取綜合得分第一名為候選承研單位,項目經費為該單位申報經費和專家組建議經費的就低值。
 
第五章  附則
第二十條  會議評審后,有關入圍候選單位信息按指南發布渠道予以公示,公示期5天。
第二十一條  評審相關材料全部歸檔備查,會議評審期間全程攝像。若認為評審過程存在違規行為,可在公示期內提出書面申訴,并提供準確違規情況。信息系統局組織進行調查核實后,如申訴情況屬實,將依照有關規定進行處理,并視情組織復議;如申訴情況不屬實,則視為無理申訴,將暫停無理申訴單位下一年度電子元器件科研任務申報資格。
第二十二條  本工作規范由軍委裝備發展部信息系統局負責解釋。
 
 
 
 

項目申報意向登記表
 
 
我單位查詢裝備發展部信息系統局發布的2019年軍用電子元器件科研項目后,結合自身能力與發布的研究內容,決定申報項目如下:
單位名稱:×××××××××
序號
項目編號
項目名稱
1
 
 
2
 
 
3
 
 
4
 
 
5
 
 
6
 
 
 
我單位鄭重承諾將按上述項目準備申報材料,并如期參加對接會。
聯 系 人:              
聯系電話:            
 
單位名稱:(蓋章)
2019年×月×


返回

青島華道智業企業管理咨詢有限公司 版權所有 全國免費服務電話:4006-010-725
總部:青島市南區中山路10號          電話|微信:137-9194-1216    QQ:1263118282
北京:海淀區西三環昌運宮紫竹橋     電話|微信:136-8120-0268    QQ:2970890153
上海:閔行區虹梅南路1755號         電話|微信:152-2175-9315    QQ:2215501312
杭州:西湖區教工路198號              電話|微信:158-6716-8335    QQ:2668763939
西安:未央區未央路80號                電話|微信:139-0928-9277    QQ:3568192523
深圳:南山區粵海街道環東路西環北路北濱海之窗花園   電話|微信:130-7782-9315   QQ:574472821
  
    魯ICP備11001126-1    常年法律顧問:徐年達  胡克用
    服務項目:國際標準認證,特種設備資質,涉水產品衛生許可批件,龙珠激斗2.3无敌版,保密室設備
服務地區:
青島,煙臺,濟南,威海,濰坊,日照,東營,濱州,淄博,萊蕪,臨沂,濟寧,泰安,棗莊,菏澤,聊城,德州,上海,深圳,重慶,廣州,天津,石家莊,長春,哈爾濱,濟南,呼和浩特,沈陽,烏魯木齊,蘭州,西寧,銀川,鄭州,太原,合肥,長沙,武漢,南京,成都,貴陽,昆明,南寧,拉薩,杭州,南昌,福州,???大連